先进AI芯片封装技术（如3D堆叠封装、Chiplet封装）的快速发展，实现了芯片算力的大幅提升，但也导致封装内部热量堆积问题愈发严重。3D堆叠封装中，多颗芯片垂直堆叠，热量需穿过多层结构导出，传统导热材料因热阻高、界面填充能力不足，难以满足封装内部的高效热传导需求。HW-PCM80相变导热材料凭借优异的界面浸润性、高导热系数及良好的柔韧性，在AI芯片先进封装领域实现热管理革新，为3D堆叠封装等先进技术的落地提供核心支撑。

    AI芯片先进封装的散热痛点主要集中在三个方面：一是3D堆叠导致热量叠加，封装内部温度梯度大，局部高温易引发芯片性能衰减；二是芯片与基板、散热器之间存在微观间隙，传统导热材料难以完全填充，形成热传导瓶颈；三是封装内部空间狭小，导热材料需具备超薄特性，同时要适应芯片运行过程中的温度循环应力。某国产AI芯片企业在研发3D堆叠封装的高算力芯片时，就因封装内部散热问题，导致芯片满负载运行时核心温度突破110℃，无法通过可靠性测试。

    HW-PCM80的产品特性精准契合先进封装的热管理需求。其相变后呈半液态，具备优异的界面浸润性，能充分填充封装内部的微观间隙，彻底排除界面空气，大幅降低界面热阻；8.0W/m·K的高导热系数可快速导出堆叠芯片产生的热量，缓解热堆积问题；0.2mm的超薄定制能力，能完美适配封装内部的狭小空间；同时，该材料具备良好的柔韧性，能适应芯片运行过程中的温度循环应力，避免界面剥离。此外，HW-PCM80无挥发、无腐蚀性，不会对封装内部的精密元器件造成污染，保障芯片的长期可靠性。

    该国产AI芯片企业在引入HW-PCM80后，对3D堆叠封装方案进行了优化。工程师根据芯片堆叠结构，定制了0.25mm厚的HW-PCM80片材，贴装于堆叠芯片顶层与封装散热器之间，同时在芯片与基板的间隙填充少量HW-PCM80导热膏，构建全方位热传导通道。经过测试，优化后的封装方案使芯片满负载运行温度降至88℃，较原有方案降低22℃，成功通过可靠性测试；经过500次温度循环测试（-40℃至125℃），封装内部无任何界面剥离、材料老化现象；长期满负载运行1000小时后，芯片性能无衰减，封装密封性良好。

    随着AI芯片封装技术向更高集成度发展，封装内部的热管理难度将持续加大。HW-PCM80凭借在界面填充、高导热效率与柔韧性等方面的突出优势，将成为先进AI芯片封装的核心热管理材料，助力国产AI芯片在算力与可靠性上实现双重突破。